DRAM pazarının önde gelen isimlerinden SK Hynix, sektörde bir ilk olan 1bnm üretim teknolojisinin veri merkezi ürünleri için çok yakında hazır olacağını duyurdu. Bu noktada DDR5 ve HBM3E (High-Bandwidth-Memory Extended) belleklerin üretiminde kullanılacak üretim süreci, özellikle HBM3E belleklerde kayda değer bir hız artışı sunacak. Seri üretim için tarih verildi
Bugün yapılan duruyuruda SK Hynix, 1bnm üretim sürecinin ilk veri merkezi ürünleri için doğrulandığını açıkladı. Daha da önemlisi, 1bnm DDR5 bellekler, 1anm sürecine kıyasla yüzde 20 verimlilik artışı sunacak. Ancak yeni duyurudaki en önemli ayrıntı, yeni üretim sürecinin HBM3E tarafından kullanılacak olması.
SK hynix, yeni üretim sürecini temel alacak belleklerin 2024’te seri üretime gireceğini ve 8 Gb/sn veri işleme hızına ulaşacağını söylüyor. Bu hızın, HBM3’e kıyasla yüzde 25 ve ilk nesil HBM belleklerden ise 8 kat daha yüksek olduğunu belirtelim. Ayrıca SK hynix, ilk uyumluluk testleri tamamlanan 5.nesil DDR5 belleklerin Ölçeklenebilir Intel Xeon platformu tarafından destekleneceğini de doğruladı. Bu noktada dev üretici, ek doğrulama süreçlerinin devam ettiğini söylüyor.
Konu hakkında yapılan açıklamada yeni üretim sürecinin hem performans hem de watt başına performans rakamlarına vurgu yapan SK hynix DRAM Geliştirme Başkanı Jonghwan Kim,“Bellek pazarının ikinci yarıdan itibaren toparlanmaya başlayacağına dair artan beklentiler arasında, 1bnm sürecinin ikinci yarıdan elde ettiğimiz kazançları artırmamıza yardımcı olacağına inanıyoruz” dedi.
